對于準分子激光器，國外有比較成熟的商用產品，主要生產廠家有：美國的 Coherent 公司（包含收購的 Lambda Physik 和 Tui Laser）、GAM Laser 公司，日本的 Gigaphoton 公司，荷蘭的 ASML 公司（Cymer）和加拿大的 Lumonics 公司等。從目前準分子激光器生產商的相關產品可以看出，準分子激光光源發展需求主要分為兩類：針對光刻需求——高重頻，同時要求極窄的光譜及極高的穩定性；針對工業加工需求——大單脈沖能量，高平均功率。

針對光刻應用需求，國際上主要有荷蘭 ASML 公司（Cymer）和日本 Gigaphoton 公司提供相應的準分子激光產品，相應功率從 10~100 W、光譜線寬從 0.5~0.1 pm、重復頻率從 2~6 kHz。高重復頻率可以提高加工產率，窄線寬可以保證芯片圖案的精細度，減小系統中色差影響，因此，高重頻和窄線寬是光刻用準分子激光光源發展不斷追求的指標。

表 1ASML 公司（Cymer）ArF 準分子激光產品的發展歷程

我國準分子激光技術的研究工作開始于 20 世紀 70 年代[15]，主要研究單位包括中國科學院上海光學精密機械研究所、安徽光學精密機械研究所、長春光學精密機械與物理研究所、天津大學等，其研究主要集中在 XeCl 和 KrF 準分子激光器。20 世紀 90 年代之后，我國科研型準分子激光向實用化方向發展，上海光學精密機構研究所和安徽光學精密機械研究所開發了一些激光器產品，并出口到國外。

從 2009 年起，在國家科技重大專項（02 專項）的支持下，我國準分子激光技術獲得迅速發展，中國科學院光電研究院、上海光學精密機構研究所、長春光學精密機械與物理研究所、合肥物質科學研究院、光電技術研究所、上海微電子裝備有限公司、華中科技大學等單位參與了相關項目研發工作。目前，已攻克了一系列高性能準分子激光核心關鍵技術，實現了高重頻（kHz）、大能量（mJ 級）、窄線寬（亞 pm）準分子激光的穩定運轉，研發出第一代光刻用準分子系統原理樣機，目前正在進行技術提升和面向產品的開發，并初步建立了我國自主的知識產權體系。圖 1 為目前統計的準分子激光技術國內發明專利申請量與國外來華發明專利申請量對比。可見，在 2009 年之前，國內申請和國外來華申請量僅分別為 7 項和 3 項；在 2009 年之后，截至 2018 年 3 月，相關數據已分別激增至 203 項和106 項。國內準分子激光技術戰略布局如圖 2 所示，主要分布在放電腔設計、流場設計、準分子激光電源設計、電極設計、光譜控制、光學元件設計、預電離設計等方面。

圖 1準分子激光技術國內發明專利申請量與國外來華發明專利申請量對比圖

圖 2國內準分子激光技術戰略布局

我國準分子激光技術發展問題分析

高性能的紫外激光光源對所使用的高端元器件提出了越來越高的要求。以光學元件及薄膜元件為例，在國家重大專項的資助下，國內制備的紫外光學元件及薄膜元件的性能有了長足的進步，所制備的光學薄膜元件已可以較好地滿足光學和光譜性能方面的要求，在抗激光輻照損傷抑制和提高使用壽命方面，也取得了顯著進展。然而，前期的大量研究結果也顯示目前國內的光學元件及薄膜元件的綜合性能與高性能紫外激光器的實際和潛在要求之間還存在一定的差距，面向超高性能紫外激光器的應用需求，光學元件及薄膜元件的長期抗激光輻照損傷能力還有待進一步提高。造成這種差距的原因主要包括：首先，光學元件涉及材料生長、表面加工及應用等多個環節，各環節都存在多種影響抗激光輻照性能的因素，導致對其具體影響機理及規律的研究難度很大；其次，國內在高端光學元件材料及加工方面的前期基礎薄弱，也對后續的光學鍍膜工作及長期應用評價工作造成障礙；最后，到目前為止，國內還沒有形成對高性能紫外激光器光學元件及薄膜元件的綜合檢測和評價的有效技術和標準，使得對光學元件的材料、加工、鍍膜及應用等環節中各影響因素的優化工作不能高效開展。

目前我國在準分子激光研究方面主要是參照國外成熟產品，主要集中在依靠實驗手段解決工程技術問題，基礎性技術積累相對薄弱。

以放電動力學為例，準分子激光系統的運轉過程是高壓氣體放電等離子體激發光輻射過程，對放電過程特性的研究是系統設計的核心和根源。放電過程特性的準確分析，對系統的優化改善都將具有極其重要的作用。通過仿真，研究準分子激光系統的放電動力學特性，實時預測工作氣體的成分變化，深化理解從工作氣體電離到激光輻射的物理過程，明確關鍵因素，可對準分子激光系統的結構特性優化提供設計指導，提高系統運轉相關實驗驗證的準確性和可靠性。目前，我國在放電動力學等基礎性研究方面處于剛剛起步狀態，難以指導新技術、新產品的開發。

在超大規模集成電路光刻和超精細加工等當前應用及未來潛在應用中，要求紫外激光的輸出指標越來越苛刻，主要包括：要求紫外激光的輸出脈沖能量、功率和光譜性能指標越來越高，同時要求其輸出脈沖能量和光譜性能具有極高的穩定性與可控變化特性。

目前，我國雖然在準分子激光技術及研發方面取得了一系列突破性進展，但和國外領先水平相比，尚存在著較大的差距，造成這種差距的原因主要包括：國內基礎薄弱，人才隊伍（特別是高端領軍人才）短缺，技術及產品落后

我國準分子激光技術未來發展方向建議

1. 高性能準分子激光器用高端元器件設計、制備與性能表征研究

以光學元件及光學薄膜的制備及其長期性能穩定性測試與評價為例，在準分子激光光學系統中，由于紫外激光單光子能量高，高能光子與物質相互作用導致光學元件更易產生激光損壞和性能退化，極大影響紫外激光光學系統的通光能力、性能、穩定性和壽命。因此，高性能光學元件及光學薄膜的制備極其重要，需要開展材料嚴格篩選、光學表面超精密加工工藝優化、高性能薄膜制備工藝優化，以及應用環境對抗輻照性能影響評價等一系列工作。

另外，當前針對紫外激光器光學元件及薄膜元件的性能評價還主要依賴于一些較常規的技術和手段，遠遠無法滿足高性能光學元件及薄膜元件制備的需要。因此，有必要在現有測試和評價技術的基礎上，針對紫外激光器光學元件及薄膜元件抗激光輻射能力和長期性能穩定性的要求，完善建立基于激光損傷閾值組合測試的短期評價方法和基于低能激光輻照組合的長期評價方法相結合的高效系統性評價方案，以此作為高性能 CaF2 等光學材料篩選、光學表面超精密加工工藝優化、高性能薄膜制備工藝優化、以及應用環境影響研究開展所需的新的技術支撐。

2. 基礎性理論及驗證研究

從基礎理論模擬仿真、基礎原材料特性、基礎元器件性能特性分析等方面，加強基礎性研究以及驗證工作。以放電動力學為例，對放電動力學特性研究主要考察研究準分子激光器高壓氣體放電等離子體激發光輻射過程，其中涉及氣體混合配比情況、腔內氣體壓力情況、主電極的設計、預電離電極的設計、放電電極間距、放電電壓情況、電極預電離機制結構等多方面的內容，進行的最優化設計，從而可以有效輔助新技術及產品開發，提高新產品開發效率，節約開發成本。

紫外激光由于波長短，單光子能量大，在加工等領域具有優勢的同時，也帶來光學元件易受到損傷等難題，增加激光脈寬可以有效地解決這一問題。面向應用需求，長脈沖紫外激光技術是重要研究方向之一，但常規激光器脈寬受限于激光上能級壽命、泵浦電源等因素，更寬的激光脈寬較難實現。

激光重頻直接影響加工產率，二者呈正比例關系。目前國際上光刻用準分子激光光源最高重頻是6 kHz，若要在其他條件相同的情況下繼續提高加工產率，勢必要繼續提高激光重頻，而為了提升激光重頻，必須解決泵浦電源、光學材料、驅動風機、流場、激波、散熱等一系列問題。針對應用的前瞻需求，有必要開展更高重頻激光光源研究，從而實現我國在這一技術領域的領先地位，為更高性能激光光源的開發奠定基礎。

在智能手機、平板顯示器等領域廣泛應用的新型顯示器，包括有源矩陣液晶顯示器（AMLCD）和有源矩陣有機發光二極管（AMOLED）顯示器等是下一代電子產品的核心之一，廣泛應用于日常電子消費類產品和不同工業領域，具有巨大的市場價值，是國家經濟建設和社會發展的重要領域。其中，低溫多晶硅（LTPS）的制備是最關鍵的加工工藝之一，而準分子激光退火已經成為當下屏制造中制備有效的多晶硅層的首選方法。該光源一般要求單脈沖能量至少數百毫焦，因此，有必要開展大能量 /功率技術研究，這將為我國在該領域開發具有核心自主知識產權的裝備奠定基礎。

在現有研究成果的基礎上，針對光電對抗、高精度光學系統檢測等應用，開展電磁干擾、輻射標定、綜合參數診斷、光譜調諧控制等進行技術輻射轉移。

針對新興或潛在的應用需求，如微加工制造（包括：多層石墨烯材料的制備；CFRP 等復合材料的切割、微孔、表面羥基化；SiC 等脆硬陶瓷材料的拋光、改性；納米材料的誘導晶化、沉積；生物材料的選擇性切斷、微流控芯片等器件的微加工等）、高精度 / 性能元器件表面處理等應用領域，有針對地開展相適應的準分子激光技術及相關性能優化研究，為最終帶動新的應用領域發展奠定基礎。